近日，兆馳半導體、旭顯未來相繼公布最新Micro LED專利信息，涉及低電流密度下芯片的性能提升，提高芯片內量子效率，以及提升巨量轉移效率。

　　兆馳半導體：發布兩項專利，可提升Micro LED芯片性能

　　國家知識產權局信息顯示，江西兆馳半導體有限公司申請一項名為“一種藍光Micro-LED的外延結構及其制備方法”的專利，公開號CN118825157A，申請日期為2024年9月。

圖片來源：國家知識產權局

　　該專利可降低生長InGaN量子阱時的應力，顯著改善多量子阱發光層的質量，同時提高P型半導體層的空穴注入效率，從而提高Micro LED芯片在低工作電流密度下的光效、良率等性能，適用于小尺寸、低電流以及低功率的藍光Micro LED。

　　專利摘要顯示，發明涉及半導體材料的技術領域，公開了一種藍光Micro?LED的外延結構及其制備方法，外延結構包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，N型半導體層，低溫應力釋放層，多量子阱發光層，電子阻擋層和P型半導體層，所述多量子阱發光層包括由下至上依次層疊生長的第一淺藍光多量子阱子層第二淺藍光多量子阱子層第三藍光多量子阱子層和第四淺藍光多量子阱子層，其中每層子層均為InGaN多量子阱層與多量子壘層的超晶格結構。

　　另外，兆馳半導體還申請一項名為“一種Micro-LED的外延結構及其制備方法”的專利，公開號CN118825159A，申請日期為2024年9月。

圖片來源：國家知識產權局

　　該專利通過在在N型摻雜GaN層和多量子阱層之間設置插入層，可以降低生長多量子阱層時的應力，并降低多量子阱層的位錯密度，提高多量子阱層的晶體質量，從而提高Micro LED的內量子效率，降低工作電壓，提升發光亮度。

　　專利摘要顯示，發明涉及半導體材料的技術領域，公開了一種Micro LED的外延結構及其制備方法，所述外延結構包括襯底，在所述襯底上依次層疊的緩沖層，未摻雜的GaN層，N型摻雜GaN層插入層多量子阱層，電子阻擋層，P型摻雜GaN層和接觸層;其中，所述插入層包括于所述N型摻雜GaN層上依次設置的AlN層、圖形化的GaSb層、Al金屬層和InGaN層。

　　資料顯示，兆馳股份于2017年在江西南昌成立兆馳半導體，目前兆馳半導體是全球單體規模最大的數字智能LED芯片生產基地，也是兆馳股份LED業務板塊最主要的營收來源，其產銷規模達到了110萬片晶圓(4寸片)/月。

　　旭顯未來：取得Micro LED巨量轉移專利

　　國家知識產權局信息顯示，旭顯未來(北京)科技有限公司取得一項名為“一種MicroLED芯片巨量轉移裝置”的專利，授權公告號CN221885132U，申請日期為2024年2月。專利可通過在焊盤位置設置凹陷區，并利用磁性吸附的原理實現Micro LED芯片的快速定位安裝，可靠性高。

　　圖片來源：國家知識產權局

　　專利摘要顯示，本實用新型涉及顯示技術領域，具體涉及一種Micro LED芯片巨量轉移裝置。一種Micro LED芯片巨量轉移裝置包括Micro LED芯片、轉移基板和搖動單元;轉移基板上設置有焊盤位置，焊盤位置處設置有凹陷區;焊盤位置的其中一個電極具有磁性;Micro LED芯片兩個電極具有磁性，其中，Micro LED芯片與轉移基板相同定義的電極上具有的磁性與焊盤位置上的磁性相反;搖動單元與轉移基板傳動連接并用于搖動轉移基板，使Micro LED芯片落于凹陷區。

　　旭顯未來是一家專業從事Mini/Micro LED顯示屏生產技術研發、軟件開發、技術服務、系統集成的高新技術企業。在全國范圍內布局了五大生產基地，分別位于山東、湖南、江西、安徽、浙江。

　　其中，湖南工廠于今年7月成功點亮第一批倒裝COB Mini LED顯示箱體產品。未來，該工廠可年產66000平方米Mini LED顯示模組。旭顯未來預計，隨著湖南工廠正式量產及安徽、浙江工廠的持續建設，預計2025年LED模組年度產能可達35萬平米。

　　在Micro LED方面，今年4月，旭顯未來曾展出全球首款真Micro LED薄膜芯片(去除原生襯底)MiP直顯4K大屏。該產品采用發光芯片微納化、原生襯底去除、晶圓級巨量轉印、半導體扇出封測等技術。

　　為進一步推動Mini/Micro LED技術研發，今年8月，旭顯未來的南方顯示科技研究院正式在深圳掛牌成立。研究院基于新型顯示領域的底層技術研究，從材料端、工藝端、光學端、電子端多學科建構部門，建立起完備的技術和人才儲備，擁有從技術研發、工藝制造、生產器件到小間距模組的完整自主研發團隊和完整的LED產業布局。