4月2日晚間，華燦光電披露非公開發(fā)行股票預案，擬擬募集資金總額不超過15億元，投入Mini/Micro LED的研發(fā)與制造項目、GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項目。

　　華燦光電認為，公司自設立以來一直從事化合物光電半導體材料與電器件的研發(fā)、生產和銷售業(yè)務，堅持自主研發(fā)、技術創(chuàng)新驅動營銷的發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)圍繞半導體產業(yè)鏈布局，打造中國高端制造品牌。2012 年，公司完成首次公開發(fā)行股票并成功在創(chuàng)業(yè)板上市，整體實力、資金實力及品牌效應均得到顯著提高，利用上市募集的資金擴大 LED 芯片及外延片產能，長期保持行業(yè)內的領先地位。2016 年，公司成功并購云南藍晶科技，并入藍寶石單晶、外延襯底以及其他藍寶石窗口材料業(yè)務，向 LED 產業(yè)鏈上游拓展，實現(xiàn)自藍寶石材料至 LED 芯片垂直一體化的生產模式，增強業(yè)務多元化抗風險能力、穩(wěn)定原料來源、降低采購成本波動率。

　　全球半導體市場可分為四大細分領域，分別為集成電路、光電子、分立器件和傳感器，整體規(guī)模超過 4,000 億美元，并且伴隨著下游應用市場的不斷豐富而呈現(xiàn)穩(wěn)健增長的趨勢。作為典型的高科技產業(yè)，新興技術的層出不窮均會對半導體產業(yè)結構造成巨大影響，同時也帶來不同細分市場的存量替代機會。因此，對新興技術的布局一直是業(yè)內企業(yè)的重要發(fā)展戰(zhàn)略和競爭要素，抓住行業(yè)趨勢、領先對手的策略有助于公司實現(xiàn)超越式發(fā)展。

　　本次非公開發(fā)行募集資金所投資的項目方向包括 Mini/Micro LED、GaN 功率器件等，均是公司立足于產業(yè)前沿研究、自身技術積累、市場潛在空間等因素綜合考量后確定的重點發(fā)展方向，亦是公司中長期規(guī)劃的重點突破領域。

　　華燦光電表示，Mini/Micro  LED 的研發(fā)與制造項目系公司為繼續(xù)擴大在 LED 芯片領域的競爭優(yōu)勢、鞏固 LED 顯示屏芯片市場的領先地位而計劃實施的投產項目，項目總投資額為 139,267.22 萬元，其中擬投入募投資金 120,000.00 萬元。Mini/Micro LED 研發(fā)的內容主要包括數(shù)學建模仿真、器件結構設計、外延工藝開發(fā)、芯片工藝開發(fā)等;量產的內容主要包括 Mini/Micro LED 廠房及生產線建設，進行 LED 外延片和芯片的生產銷售。本項目主要采用自主建設的方式，建設期為三年，計劃分三年進行投入，項目建成后，實現(xiàn)年產 95 萬片 4 英寸 Mini/Micro LED 外延片。

　　GaN 基電力電子器件的研發(fā)與制造項目產品為中低壓系列硅基增強型 p 型柵 GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，包括 100V、200V、600/650V 三個電壓等級的多種型號，主要面向智能手機、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等市場應用，具有高開關頻率、高轉換效率、高耐壓強度的技術特性。本項目通過器件仿真設計、工藝制程開發(fā)、測試失效分析，建立 GaN 功率器件設計和工藝 IP 庫。項目建成后，將建立 GaN 功率器件從設計開發(fā)、外延生長、芯片制造到晶圓測試的完整業(yè)務鏈，將產品開發(fā)、制造與市場需求緊密結合，通過更快的產品迭代和穩(wěn)定的良品率，以具有相當市場競爭力的性價比，快速推進 GaN 功率器件的大規(guī)模產業(yè)化。項目建設期三年，計劃總投資額 31,641.58 萬元，其中擬投入募投資金30,000.00 萬元。

　　華燦光電表示，本次發(fā)行募集資金的用途合理、可行，項目符合國家產業(yè)政策，是國家鼓勵投資的產業(yè)。項目建設有利于完善公司業(yè)務結構，提升公司綜合實力和核心競爭力，促進公司持續(xù)、健康發(fā)展，符合本公司及本公司全體股東的利益。